Probo No.39 のおもな内容
技術論文
減圧による超多ピンプロービング
| 執筆者 | 新企画商品開発室 NPX統括プロジェクト 内藤 隆 ほか |
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| あらまし | 近年テストコスト低減のため、ウエハ一括コンタクト試験の要求が高まっている。プロセスの微細化によりウエハ一枚あたりのダイの数は増加し、必要なコンタクト推力も増大している。一括コンタクトを実現するためにはプロービング装置の高推力化、高剛性化、プローブカードとウエハチャックの平行度向上などの課題がある。本稿では、コスト低減と高信頼性を実現するために既存プローブを採用し、450mmウエハ世代においても十分な推力発生を可能とする技術について紹介する。 |
| Key Words | なし |
AWGでSSC適用信号を明快に作成する方法および広帯域信号を要領よくアンダー・サンプリングする方法
| 執筆者 | システム・ソリューション本部 SoCシステム・エンジニアリング COE（センター・オブ・エクスパティーズ）プリンシパル・コンサルタント 大河原 秀雄 |
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| あらまし | デジタル・リソースにとって、信号にSSC（スペクトラム拡散クロック）を適用したり解析したりすることは非常に難しいことであるが、ミクスド・シグナル・テスタのアナログ・リソースを使えば容易に実現できる。この論文は、AWG（任意波形発生器）および波形サンプラーを使って、SSCを適用した信号を要領よく作成したり解析する方法について述べる。最初の章では、FFT（高速フーリエ変換）&IFFT（逆FFT）法について解説する。これはAWGを使ってSSCを適用した高速デジタル・データ信号を明快に作成する方法である。次の章では、SSCを適用した高速デジタル信号のような広帯域信号を波形サンプラーを使って要領よくアンダー・サンプリングする方法について解説する。実例として1.5 Gbps SATA （シリアルATA）データに30ms周期の三角形SSCを載せた信号の作成例および解析例を示した。 |
| Key Words | なし |
技術解説
10Gbps CML方式PE-Driver終端電圧増幅器の開発
| 執筆者 | テクノロジー開発本部 第3開発部 渡辺 将司 ほか |
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| あらまし | 高速シリアルI/Fを備えたデバイスのテストに対応するため、10Gbpsで動作するPE-Driver/Comparator ICを開発した。 Driver回路はCML方式を採用しており、高密度で高速高精度が得られる回路アーキテクチャを考案した。本稿では、その考案した回路の一つである終端電圧増幅器にフォーカスした設計手法と、Driverの開発結果について紹介する。 |
| Key Words | なし |
HIFIX用広帯域・高密度・高速伝送コネクタの開発
| 執筆者 | DI事業部 DI開発部 MDI開発課 我田 浩隆 |
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| あらまし | 近年、デバイスの高速化および、多数個同時測定の要求により、広帯域、高密度で高速伝送可能なコネクタの必要性が高まっている。 今回、10Gbpsを超える高速SoCデバイスや高速メモリデバイス測定用のHIFIXインターフェースとして、広帯域/高密度/低クロストーク/低反射でかつ20GHzまで帯域を持つHIFIXコネクタを開発した。本稿では、このHIFIXコネクタを紹介する。 |
| Key Words | なし |
メモリ・コア試験用低COTテスタ技術
| 執筆者 | メモリテスト事業本部 第7開発部 EM7pj 土井 優 |
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| あらまし | DDR3-SDRAMをはじめとする高速メモリデバイスの試験方法は高速のI/O試験と低速のメモリコア試験の2Pass方式が主流となっている。メモリコア試験はテスト時間が長大なため、これに使用されるテスタはI/O試験用テスタの数倍の台数が必要とされている。近年のDRAMデバイス単価下落の影響から、特に台数が必要とされるメモリコア試験用テスタにおいて低COT (Cost Of Test)ソリューションが強く求められている。 今回、従来のテスタ構造を大幅に見直し、ETM (Enhanced Test Module) 構造を開発し、低COT、アップグレード容易性、省電力、省スペースを実現した。 |
| Key Words | なし |
アプリケーション
T2000 IGBTテスト・ソリューションによるIGBT測定技術
| 執筆者 | システムソリューション本部 SoCシステム・エンジニアリング ソリューション・デベロップメント 安田 日出夫 |
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| あらまし | 近年、環境保護のためCO2削減や省エネルギー化への取り組みが進む中、産業用・自動車分野におけるパワー半導体は、家電、コンピュータ、自動車、鉄道などあらゆる機器に幅広く使われており、順調な市場成長が見込まれている。 本稿ではこのようなパワー半導体の量産テストに対応する為に開発されたT2000 IGBTテスト・ソリューションを用いたIGBT測定技術について紹介する。 |
| Key Words | IGBT，ハイサイド/ローサイド，高電圧/高耐電圧，絶縁/フローティング，リーク測定，アバランシェ，Dvdt |
T5511ハードウエアによる高速タイミング・トレーニング
| 執筆者 | システム・ソリューション本部 メモリ・システム・エンジニアリング グローバル・オペレーション 後木 結子 |
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| あらまし | T5511は最大8Gbpsで動作する超高速メモリ・テスト・システムである。主要ターゲット・デバイスとしてGDDR5 SGRAMのような超高速メモリ・デバイスを想定している。GDDR5 SGRAMの測定にはタイミング・トレーニングが必要である。従来のメモリ・テスタでは、ソフトウエア処理のため実行時間が掛かっていた。T5511には、新たにタイミング・トレーニング機能が搭載され高速に処理できる。本稿ではGDDR5 SGRAMでの測定結果を基に、タイミング・トレーニング機能の有効性を示す。 |
| Key Words | T5511，GDDR5 SGRAM，LPDDR3，DDR4 SDRAM，タイミング・トレーニング，リード/ライト・レベリング |
モーションセンサの複数個同時測定を実現した試験技術
| 執筆者 | 株式会社アドバンテスト九州システムズ SE部 DCTSE課 彦坂 潤一 ほか |
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| あらまし | 近年、磁気、加速度、角度を感知するモーションセンサ市場が拡大している。代表的なモーションセンサである磁気センサは、これまで自動車の車体制御装置やPCの冷却ファンやDVDドライブのモータ回転制御部に搭載されてきた。それらに加え、最近では携帯電話やスマートフォンへの搭載によってモーションセンサの生産量が急増しており、同時にコストダウン要求が高まっている。本稿では、モーションセンサの量産工程において、大幅なテストコスト削減を可能にした試験技術を紹介する。この技術はアナログ・テスタT7912A用に開発された10MHz デジタル・モジュール (10MDM:10MHz Digital Module) により実現された。 |
| Key Words | なし |