Probo No.46のおもな内容
技術論文
TaONパッシベーションGaN HEMTを用いた10 MHz - 6 GHz帯低歪みステップアッテネータMMIC
| 執筆者 | 株式会社アドバンテスト研究所 Gプロジェクト 対馬 孝弘 ほか |
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| あらまし | RFテスタフロントエンド用10 MHz?6 GHz帯低歪みステップ アッテネータについて報告する。本ステップアッテネータは, 低域 から広帯域に亘り大信号特性を改善するため, 超低ゲートリーク 特性を特徴とする弊社独自のTaONパッシベーションGaNショット キーHEMTプロセスを用いて開発した。TaONパッシベーション GaN HEMTの低ゲートリーク特性により, 10 MHz?6 GHzの超 広帯域において1 dB利得圧縮時入力電力40 dBm以上, 3次歪 み特性55 dBm以上の性能を実現した。 |
| Key Words | なし |
オンチップ電源インピーダンスの解析技術
| 執筆者 | テクノロジー開発本部 第5開発部 FTテクノロジー開発2課 石田 雅裕 ほか |
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| あらまし | 本稿は、被試験デバイスのオンチップ電源ノードにおける電源 インピーダンス特性を測定する方法を提案する。提案手法は、 オンチップに搭載した負荷電流源の繰り返し周波数をスイープさ せながら、オンチップ電源電圧変動パワーの周波数特性を測定 する。オンチップ負荷電流源は、サイン波の負荷電流ではなく、 矩形波の電流をオンチップ電源ノードから引き抜く。提案手法は、 オンチップ電源インピーダンスの絶対値特性だけでなく位相特性 も推定できる。SPICEシミュレーションをもちいた計算機実験によ り、提案手法が電源インピーダンスの周波数特性を正確に測定 できることを示す。また、もとめた電源インピーダンス特性をもちい ることにより、オンチップ電源電圧変動波形を正しく推定できること も示す。 |
| Key Words | 電源品質、電源インピーダンス、電源供給ネットワーク解析、Bodeの定理 |
アプリケーション
PRM™（Power Regulation Module）によるデバイス電源安定化の検証
| 執筆者 | システムソリューション本部 メモリ・システム・エンジニアリング 山口 直也 ほか |
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| あらまし | 近年の半導体デバイスは省電力化と高速化に伴い、消費電 流の変化が大きくなる傾向にある。そのため急激な電流変化 に追随できる応答性の優れたデバイス電源の必要性が高まっ ている。複数の電源ユニット（PPS）を並列接続することで応 答性は向上するが、同時測定デバイス数が減ってしまう。同 時測定デバイス数を減らさずに応答性を向上させる新技術を 搭載したPRM™（Power Regulation Module）を開発した。 PRM™を用いることでPPSのチャンネルを減らしても優れた 応答性が得られた。 |
| Key Words | PRM™(Power Regulation Module)、電圧降下、デバイス電源、LPDDR4 |
EVA100 高速直線ランプ信号を使用した14bit ADCの高速リニアリティ試験
| 執筆者 | ASD T&M マーケティング部 歌丸 剛 |
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| あらまし | 本稿では、EVA100のLF-AWG/DGTモジュールに搭載さ れた、17bit 精度の高速直線ランプ信号発生器による高精度 かつ高速なADCリニアリティ試験手法について紹介する。一 般的なリニアリティ試験手法では、信号源として任意波形発 生器（AWG）によって発生する階段ランプ信号を使用しており、 試験時間はAWGのサンプリング・スピードによって制限され る。それに対して、積分器によって生成する高速かつ高精度 な直線ランプ信号の使用により、試験対象であるADCのサン プリング・スピードを活かした高速なリニアリティ試験を実現す ることが可能となる。 |
| Key Words | 直線ランプ信号、階段ランプ信号、ADC、リニアリティ測定、ヒストグラム法 |