Probo No.51のおもな内容
技術論文
シングルまたはダブルリセスオーバーラップゲートを有するノーマリオフAlGaN-GaN MOSFETにおけるドレイン誘起障壁低下(DIBL)
| 執筆者 | （株）アドバンテスト研究所 佐藤 拓 ほか |
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| あらまし | 我々は、従来のリセスゲート構造と比較しながら、シングルまたはダブルリセスオーバーラップゲート構造を有するノーマリオフAlGaN-GaN金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）におけるドレイン誘起障壁低下（DIBL）について研究した。2つのリセスオーバーラップゲート構造は共にDIBL抑制に効果があるが、とりわけダブルリセスオーバーラップゲート構造が、DIBL抑制に高い効果があることを明らかにした。 |
| Key Words | なし |
30 Gbps NRZ信号インターフェイスの量産試験向けストレス・アイ試験モジュール
| 執筆者 | 事業推進本部 テクノロジー統括部 第5開発部 FTテクノロジー開発2課 一山 清隆 ほか |
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| あらまし | 小振幅信号をもちいた高速データ伝送においては、伝送信号に重畳されるジッタとノイズにより受信器側でビット誤りが生じる。このため、劣化した信号をもちいて受信器を試験するストレス・アイ試験が非常に重要となっている。本稿は、30 Gbps NRZ信号向けのストレス・アイ試験モジュールを紹介する。このモジュールは、被試験受信器の入力信号にランダム・ジッタ（RJ），正弦波ジッタ（SJ）および正弦波干渉（SI）を印加することができる。指定されたストレス条件のバスタブ曲線を実現するRJ値、SJ値およびSI値のキャリブレーション方法についても提案する。既存の半導体試験装置に本モジュールを組み合わせることにより、量産試験に適用可能なストレス・アイ試験機能を提供できる。 |
| Key Words | なし |
STT-MRAMアレイのスイッチング電流測定
| 執筆者 | 営業本部 システムソリューション統括部 メモリ・システム・エンジニアリング メモリSE1 田村 亮 ほか |
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| あらまし | STT-MRAMアレイのスイッチング電流を測定するために、メモリ・テスタと共に使用可能な高速微小電流測定モジュールを開発した。この測定モジュールは数ns間で数μA変化するSTTMRAMのタイム・ドメインのスイッチング電流を測定可能である。STT-MRAMアレイのスイッチング特性を分析することにより、エラー・ビットの不良原因によるカテゴライジングが可能になる。この新しい測定技術により、STT-MRAMの研究開発や量産化の加速が期待される。 |
| Key Words | なし |
アプリケーション
新バーンイン装置に向けた新温度関連技術
| 執筆者 | 生産本部 メカニカル技術統括部 メカニカル設計部 CHLグループ 山下 毅 |
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| あらまし | 近年のデバイスの高性能化による発熱量の増大に対応するため、従来比約3倍の熱負荷に対応し、制御安定性をさらに向上させることが可能なバーンイン装置用新冷凍機、および、新温度制御方式を開発した。また従来方式では必要であった技術者による制御パラメータ調整を最少化し、ダウンタイムの削減、製造／メンテナンス工数削減、設置環境や個体差対応への調整工数削減、そして、環境対応として消費電力の最小化も同時に実現した。 |
| Key Words | なし |
T2000 IPS + GPWGDハイレゾ・オーディオ向け超高ダイナミックレンジ測定手法
| 執筆者 | ATEビジネスグループ T2000事業本部 システム企画統括部 ソリューション部 ソリューション1課 中島 隆博 ほか |
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| あらまし | 本稿では、T2000 General Purpose Waveform Generator Digitizer Module（GPWGD）のフロントエンドに、Band Elimination Filter（BEF）などの高精度アナログ回路を追加することにより、業界最高水準のアナログ性能を実現する超高ダイナミックレンジ測定手法を紹介する。さらには、T2000 Integrated Power Solution（IPS）システムと組み合わせることで、従来比で2倍の同測数（16個同測）を実現する。これにより、ハイレゾ・オーディオに対応したPower Management IC（PMIC）向けに、デバイス評価から、量産まで対応可能となる。 |
| Key Words | なし |