Probo No.61のおもな内容 Probo No.61のおもな内容

巻頭言

半導体量子ビットデバイスの開発状況と課題

執筆者 理化学研究所 創発物性科学研究センター　量子機能システム研究グループ　グループディレクター　
同研究所　量子コンピューター研究センター　半導体量子情報デバイス研究チーム　チームリーダー
樽茶　清悟　様
あらまし 私たちは半導体のシリコン（Si）を使った量子コンピューターの技術開発の研究を進めています。この講演では、その研究の状況と、これからの課題について、ご紹介できればと思います。その中で、最初に量子力学を基盤とする量子コンピューターの考え方、動作原理についてご説明します。次に、Siを使って量子ビットといわれる量子情報の単位を作り、その量子ビットを使って、量子コンピューターに必要な論理演算を実行するというお話をします。

技術論文

局所薄膜化プロセスを用いたシリコンフォトニクス垂直テーパ構造の作製

執筆者 （株）アドバンテスト研究所　阿部　峻佑 ほか
あらまし 本論文はシリコンフォトニクスにおける導波路型光素子の膜厚を局所的に変えることができる垂直テーパ構造の作製方法について報告する。低損失な光のスポットサイズ変換にはテーパ角度が10°以下である必要であるが、このようになだらかなスロープ形状をもつ垂直テーパを作製するため多重露光法を開発した。この作製プロセスはステッパを用いたフォトレジストへの露光とステージの移動を繰り返す露光法であるが、プロセス中の温度は最大120℃程度と既存の方法よりも低温でCMOSプロセスとも互換性がある。また、作製できる垂直テーパの角度を見積もるため多重露光法のモデル化を行い、モデルから計算した角度は実験値と一致した。我々は長さ2.4 μmの垂直テーパを作製し、膜厚400nmのシリコン細線導波路を膜厚220 nmに低光損失（<0.3 dB）に変換できることを示した。多重露光法は所望の光素子ごとの最適なシリコン膜厚への調整を可能にする技術である。
Key Words なし

薄型間接水冷コールド・プレートの開発

執筆者 DH事業本部 DH開発統括部 DM技術部 DM技術課　與田　泰史 ほか
あらまし テスト・システムにおいて性能向上に伴い、筐体内の電子基板の発熱密度とテスト・システム筐体への実装密度が増加している。また、昨今のSDGsの考えに基づき低環境負荷の製品開発が求められている。社会的、技術的要求に応えるべく電子基板を冷却する高性能な薄型の水冷コールド・プレートを開発した。
Key Words コールド・プレート、薄型化、低環境負荷、圧力損失、接着

アプリケーション

T6391 高精度測定ソリューションによる高階調DDICデバイステストの歩留まり向上

執筆者 Advantest Taiwan Inc.　野田　二郎 ほか
あらまし スマートフォンやITディスプレイ（タブレット、ノートPC）用のOLED(Organic Light Emitting Diode)ディスプレイやAR(Augmented Reality)/VR(Virtual Reality)用のヘッドマウント・ディスプレイのDDIC（Display Driver IC）では、出力電圧が従来に比べより高精細なステップに分圧されるようになる。今回、先端DDICの出力電圧を高精度に測定するために、新たに開発したパーピン・デジタイザ／コンパレータ・モジュール「LCD HP」でノイズとチャンネル間の測定偏差を低減したので、その試験性能を紹介する。
Key Words なし