TDR解析（Open/Short不良などの故障点解析） TDR解析（Open/Short不良などの故障点解析）

TS9001 TDRシステム

さまざまなプローバに接続可能！

お客様が所有/選定された高周波プロービングシステムとの接続を可能とし、デバイス形状や故障解析環境に対して柔軟なソリューションを提供します。

TS9000シリーズ TDRオプション

自動プロービング機構を標準装備！

プローブステーションを標準装備し、測定距離最大300mmのパッド座標自動プロービングが行えます。

製品の特長

電子機器の小型化、高集積化の進む半導体パッケージは、その故障個所を非破壊かつ高精度で特定する必要性が高まっており、多様化する故障解析条件に対し、最適な解析環境を容易に実現するシステムが求められています。

TS9000シリーズ TDRオプション、及びTS9001 TDRシステムのTDR解析は、当社独自の短パルス信号処理技術による高分解能のTDR測定（時間領域反射測定）により、最先端半導体パッケージ、電子部品、プリント基板内配線の故障箇所を高速高精度の非破壊解析を実現します。

• 2.5D_IC、3D_ICの故障解析に対応した性能を実現
  • ・故障箇所検出分解能 < 5μm
  • ・最大測定距離 300mm
• 自動化されたTDR測定

  オートプローバの自動タッチダウン機能の活用により、誤差の少ない再現性のある測定が可能であり、ヒューマンエラーの低減に貢献します。

• 評価サンプルの温度制御が可能（TS9001＋外部プローバ接続）

  （推奨）FormFactor社製 RF Probe System SUMMIT200 (高温/低温仕様 -60℃～300℃）

• 充実した解析ソフト

  CAD上に故障位置を表示するFailure Position Viewerを用意（オプション）

THz技術を活用したTDR測定について

オシロスコープTDRを用いた故障解析の課題 　⇒　故障点特定誤差が大きい

解析に用いるプローブ信号にステップ応答波形を使用。
良品と不良品で取得したTDR波形の振幅変化の起点を故障点として特定するが、起点が不明瞭のため故障点特定誤差が大きい。

プローブ信号をインパルス波形とし、故障点をパルスピークで簡単に特定（直観的）

Small-BGAにおける故障解析

• 基板内のスルーホール、配線およびボンディングワイヤー部にOpen故障を形成してTDR解析
• 複雑な構造を持つパッケージでも故障点からの反射パルスを検出

主な解析事例

• TSVなどの微小ビア内やバンプ間の故障解析
• 接触点不良の温度依存性解析
• 波形の僅かな差異として現れる高抵抗不良の解析

主な機能、仕様

TS9000シリーズTDRオプション、並びにTS9001TDRシステムは「TDR Analyzer」を標準装備しています。積分機能も備わっており、ステップ波形（オシロスコープ観測）の解析にも対応しています。また、オプションの「TDR CAD Data Link」を活用する事でCAD配線データ上の故障箇所をマッピング表示でき、故障原因推定もより容易なものとなります。