No.51 (January, 2019)
Proboをご閲覧いただくためには登録が必要です。
下記のボタンよりご登録をお願いいたします。
* 執筆者の所属/役職などは掲載当時のものです。冊子版Proboから構成を一部変更し掲載しております。
技術論文
| タイトル／執筆者 |
|---|
| シングルまたはダブルリセスオーバーラップゲートを有するノーマリオフAlGaN-GaN MOSFETにおけるドレイン誘起障壁低下(DIBL) （株）アドバンテスト研究所 佐藤 拓 ほか |
| 30 Gbps NRZ信号インターフェイスの量産試験向けストレス・アイ試験モジュール 事業推進本部 テクノロジー統括部 第5開発部 FTテクノロジー開発2課 一山 清隆 ほか |
| STT-MRAMアレイのスイッチング電流測定 営業本部 システムソリューション統括部 メモリ・システム・エンジニアリング メモリSE1 田村 亮 ほか |
アプリケーション
| タイトル／執筆者 |
|---|
| 新バーンイン装置に向けた新温度関連技術 生産本部 メカニカル技術統括部 メカニカル設計部 CHLグループ 山下 毅 |
| T2000 IPS + GPWGDハイレゾ・オーディオ向け超高ダイナミックレンジ測定手法 ATEビジネスグループ T2000事業本部 システム企画統括部 ソリューション部 ソリューション1課 中島 隆博 ほか |